رم DDR6: استاندارد حافظه نسل بعدی، توضیح داده شده است
به گزارش اپست به نقل از pcworld ، استاندارد حافظه DDR5 که به طور رسمی در جولای 2020 با AMD Ryzen 7000 (“رافائل”) و Intel Core 13000 (“Alder Lake”) نهایی شد، تنها در دو سال گذشته به آرامی جایگزین DDR4 قبلی خود در دسکتاپ شد. اما حافظه DDR6 آینده در حال کوبیدن است.
از استاندارد جدید حافظه DDR6 چه انتظاری میتوان داشت – و چه اطلاعات قابل اعتمادی در حال حاضر داریم؟ ما به شما میگوییم و دانش پسزمینهای در مورد نسل بعدی رم در رایانههای شخصی، سرورها و نوتبوکها به شما ارائه میکنیم.
DDR6 باید تا 12800 MT/s+ را به دست آورد
سامسونگ در روز فناوری 2021 درباره DDR6 و مرحله تکاملی آن DDR6+ صحبت کرد و جزئیات جالب بسیاری را در مورد استاندارد حافظه آینده فاش کرد.
اگر سرعتهای مورد تایید رسمی JEDEC را بهعنوان معیار در نظر بگیریم، با معرفی DDR5 در مقایسه با DDR4، حداکثر سرعت داده از 3400 MT/s به 6400 MT/s دو برابر شده است. سامسونگ افزایش مشابهی را برای DDR6 پیش بینی کرده است که تا 12800 MT/s به عنوان DDR6-12800 کار می کند.
لازم به ذکر است که اینها فقط سرعت های استاندارد رسمی مشخص شده توسط JEDEC هستند که ممکن است توسط ماژول های اورکلاک شده (OC) بسیار بیشتر از آنها باشد.
بنابراین، مموری استیکها با ماژولهای حافظه کاملاً انتخاب شده (“IC”) باید بتوانند به DDR6-16800 با حداکثر 16800 MT/s به عنوان ماژولهای OC دست یابند.
سپس توسعه استانداردهای حافظه DDR از نظر سرعت حافظه خالص به شرح زیر خواهد بود:
| استاندارد JEDEC | ماژول های OC | |
|---|---|---|
| DDR | تا 400 MT/s | تا 533 MT/s |
| DDR2 | تا 1066 MT/s | تا 1333 MT/s |
| DDR3 | تا 2133 MT/s | تا 2666 MT/s |
| DDR4 | تا 3200 MT/s | تا 5333 MT/s |
| DDR5 | تا 6400 MT/s | تا 84000 MT/s |
| DDR6* | تا 12800 MT/s | تا 16800 MT/s |
*) به طور رسمی تأیید نشده است.
با توجه به سرعت قابل توجهی بالاتر حافظه مرتبط با تغییر از DDR5 به DDR6، پهنای باند حافظه نیز به میزان قابل توجهی افزایش می یابد.
DDR6 دارای چهار کانال حافظه است
تعداد کانال های حافظه در هر ماژول قرار است با DDR6 به 4 کانال افزایش یابد که در مقایسه با DDR5 دوباره دو برابر می شود. تعداد بانک های حافظه نیز با ضریب دو افزایش به 64 می رسد که به نوبه خود به معنای افزایش چهار برابری نسبت به DDR4 است.
در مقایسه بین نسلی پهنای باند حافظه، DDR6 بار دیگر به طور قابل توجهی افزایش می یابد:
DDR تا 3.2 گیگابایت بر ثانیه
DDR2 تا 8.5 گیگابایت بر ثانیه
DDR3 تا 17.0 گیگابایت بر ثانیه
DDR4 تا 28.8 گیگابایت بر ثانیه
DDR5 تا 67.2 گیگابایت بر ثانیه
DDR6 تا 134.4 گیگابایت بر ثانیه +
همانطور که اوضاع پیش میآید، بنابراین میتوان فرض کرد که سریعترین ماژولهای حافظه DDR6 میتوانند حداقل 134.4 گیگابایت بر ثانیه پهنای باند حافظه را ارائه دهند، با ماژولهای OC که به طور قابلتوجهی ظرفیت حافظه بیشتری را در هر ثانیه ارائه میکنند
توابع بیشتر، ولتاژ کمتر
همانند تغییر از DDR4 به DDR5، مجموعه ویژگی های نسل جدید حافظه یک بار دیگر به طور قابل توجهی گسترش خواهد یافت. همه سازندگان مربوطه تراشههای DRAM مانند سامسونگ، میکرون، نانیا و SK Hynix قبلاً این موضوع را فاش کردهاند.
علاوه بر بهبود بیشتر PMIC (IC Power Management) که مدیریت انرژی ماژولهای حافظه را نظارت میکند و ولتاژ منبع تغذیه کاهش یافته (VDIMM)، ویژگیهای ECC برای بررسی برابری و تصحیح خطا نیز بیشتر توسعه مییابد.
DDR6 در سال 2024/25 راه اندازی می شود
سامسونگ قبلاً اعلام کرده است که در حال حاضر در حال کار بر روی نهایی کردن استاندارد حافظه DDR6 به همراه سایر اعضای JEDEC از حلقه تولید کنندگان DRAM و SoC است. به گفته سازنده، انتظار می رود این در سال 2024 باشد، اما حداکثر تا سال 2025.
حافظه جدید DDR6 اولین حضور خود را در بخش سازمانی حرفه ای جشن می گیرد و انتظار می رود برای اولین بار با CPU های سرور سال 2025 استفاده شود.
از طرف دیگر، مهندس ارشد سازنده نیمه هادی کره جنوبی SK Hynix، انتظار فاز توسعه کمی طولانی تری را دارد و پیش بینی نمی کند که تا قبل از پایان سال 2025 به بازار عرضه شود.
